表面电阻一样，静电衰减速度差10倍？SSD西西蒂H0110-S4B揭示真相

# 2026年新品发布会#

日期：2026年9月14日

时间：8：30-18：30

近期我司新推出升级了

SSD西西蒂 H0110-S4B 静电荷衰减度测量仪

SSD西西蒂 H0110-S4B 静电荷衰减度测量仪

在材料实验室里，有一个让工程师们困惑多年的反常识现象：两种抗静电薄膜，表面电阻测试结果几乎一样，都在8×10⁸Ω/sq左右，但实际使用中，一种静电消散极快，另一种却慢得离谱。同样的电阻，为什么衰减速度差这么多？

答案藏在材料的电荷衰减动力学中。表面电阻反映的是材料在稳定状态下的导电能力，而电荷衰减速度取决于材料表面的电荷陷阱深度、载流子迁移率以及表面极性基团的分布。这些因素在静态电阻测试中无法体现，却直接决定了静电在实际工况下的消散速度。SSD西西蒂 H0110-S4B 静电荷衰减度测量仪，正是用来捕捉这些动态差异的。它采用电晕放电方式对试样充电，然后通过静态探针实时记录表面电荷的衰减曲线。半衰期是5秒还是50秒，初始衰减是快速还是缓慢，曲线形状是陡峭还是平缓——这些信息在表面电阻测试中看不到，在H0110-S4B的衰减曲线上却一目了然。

配套的Honest Data Analyzing System V3自动计算半衰期，衰减率设定范围2%～100%，用户可根据实际应用场景灵活设定评价基准。